才刚对全球半导体产业投下史上最高资本支出震撼弹的三星电子(Samsung Electronics)，再度因韩朝政治对立情势升温，战事恐一触即发，而成为科技产业关心的焦点。业界聚焦重点放在DRAM和NAND Flash产业，三星在此两大产业中，DRAM市占率分别超过30%，NAND Flash市占率逼近40%，未来韩朝关系若持续紧绷，甚至有战事发生，将使得全球个人计算机(PC)和消费性电子产品供应链造成巨大变化。

全球DRAM和NAND Flash生产大厂：三星

根据DIGITIMES Research分析，三星的半导体生产基地离北韩相当近，是东北亚电子产业的危机潜伏地区，三星是2009年全球半导体消费金额排行第2的业者，仅次于惠普(HP)，显示三星在半导体生产领域和消费者领域的地位。

目前三星在韩国DRAM芯片单月产能超过30万片，包括Fab9、Fab10、Fab11A、Fab11B、Fab12、Fab13及Fab15等，涵盖标准型DRAM、利基型DRAM等，全球市占率超过30%，影响所及涵盖PC和各式消费性电子应用。

日前三星宣布要兴建Fab16，预计单月产能可达20万片，未来可生产DRAM、NAND Flash等，继而目标是提升Fab15的制程技术至30纳米制程，预计半导体产业要投入资本支出高达9兆韩圆(约80亿美元)。

NAND Flash芯片单月产能约25万~30万片，全球市占率逼近40%，应用领域包括手机、MP3播放器、随身碟、快闪记忆卡等。目前三星和二哥东芝 (Toshiba)的全球市占率越来越接近，2厂都超过30%市占率，掌控全球NAND Flash芯片的供货主导权。

三星史上最高资本支出　成功猎杀台厂

三星日前才宣布史上最高金额的资本支出计划，全球DRAM和NAND Flash产业应声全倒，成功狙击了这一波正在从谷底复苏，且积极有募资计划的台厂。台系DRAM厂的营运虽然从谷底反弹，但根基还不稳固，尤其是身上仍是负债累累，且没有多余资金可以扩产，三星这项资本支出计划，成功让台厂的募资计划受挫。

对于美光(Micron)和尔必达(Elpida)这两家竞争对手虽然成功在金融风暴中挺过来，但手上的银弹有限，不可能跟随三星加入这场钱海战术，加上美日两阵营近年来与台系DRAM厂越绑越近，利用台湾低成本的生产基地，让美日两大阵营竞争力大增，但三星这一次出招，却让台美日内存厂全部都挨闷棍。

内存业者认为，三星宣布的资本支出计划出炉后，基本上已达到重挫对手的目的，是否真的全部如期执行，则是其次问题，惟现在大家关心韩朝战略情势升温，不确定性大幅增加，但业者认为，这种牵扯到政治和战争之事，只能用假设和推测去分析。

业者认为，由于三星在韩国的厂房接近朝鲜地区，如果真的有战事发生，导致三星厂房有损失，最大受惠者当然是台美日DRAM厂，以及美日阵营的 NAND Flash大厂，如果南北韩战事扩大，恐削弱三星长期的产业竞争力，会是台美日等各厂击倒三星的最佳机会点。